主页 > 365体育投注站 > 365体育投注站

中国光刻原型光刻技术的新进展是一个9纳米的最小线段
时间:2019-07-21 12:19 来源:365bet现金网 作者:365bet足球比分 点击:
集成电路制造
EUV
4月10日,记者从武汉国家光电研究中心获悉,中心的甘兰松团队利用双光束激光器作为自主研发的光保护器,打破了光束衍射极限。使用远场光学系统记录至少9 nm并使用线宽分段,可实现从超分辨率成像到终极衍射光刻的重大创新。
光刻机是集成电路制造工艺的重要部分。深紫外(DUV)和极紫外(EUV)光刻设备主要由荷兰的ASML公司制造,属于国家集成电路工业的“卡色”技术。
2009年,甘兰松团队继德国科学家Stefan W. Hull的诺贝尔化学奖超分辨率荧光成像原理之后,在不掌握该技术的情况下为生成光线铺平了道路。
线宽为9nm的双光束超衍射限制光刻技术与用于连续缩短光刻波长的集成电路光刻设备的主流完全不同。193 nm过渡到13。
5 nm极紫外波长(EUV)的技术路径
Ganlans团队使用光刻胶材料对不同波长的光产生不同的光化学反应。经过精心设计,自行开发的光保护器可以在第一波长的激光束和第二波长的激光下固化。具有零强度的中心光和第一光束形成重合点并且作用于光保护,使得仅通过光刻法固化光中心的第二中空部分。衍射极限在远处时会被破坏。
纳米加工结构的设计和实际光刻效果自2013年Gan Brown Pine验证以来,该技术原理面临着从商用原型验证原型到工程原型的难点。
经过两年的技术和技术开发,该团队在寻找材料,软件和零件方面克服了三个难题。
已经开发了各种光保护剂,包括有机树脂,半导体材料,金属等,其具有优于国外的完整性能。最合适的双光束超分辨率光刻技术的原理解决了技术支持的单一型光保护器的问题。
它实现了软件设计与三维微纳设备结构制作的集成,可以无需管理即可智能化地制造。
同时,通过合作,我们找到了原型系统的关键部件(飞秒激光,聚焦物镜等)并验证了国家部件超出了产品的性能。类似的外国人
超衍射双光束衍射限制光刻系统目前主要用于制造三维光学微米器件。未来,预计该技术将在器件性能进一步提高,生产速度等重要问题得到解决后,应用于集成电路的生产。
甘布松,最重要的是,打破了微纳米三维光产生的外国技术的垄断。在这个领域,从材料和软件到光学和机械零件,我们不再受人类的影响。
关注电子行业令人兴奋的信息,关注华强信息的官方微信,阅读最佳内容,并有机会全年受到杂志的关注:加入好友→搜索“华强微电子“→关注或微信”扫“二维码




上一篇:吞下它是好还是坏。
下一篇:历史上最强大的守门员造成了对抗天堂的奇迹。